ITO sputtering target

ITO sputtering target:

Composition: In2O3 (wt%):SnO2 (wt%)=90:10 / 95:5 / 97:3 

Purity: 99.99% (ICP—AES)

Color: black

Resistivity:≤1.8×10-4Ω·cm

Factual size: 5~15μm

Resistivity: <0.12mΩ·cm

Coefficient of linear thermal expansion: 8.2×10-3K-1

Grain size: SEM test

Main application: produce transparency conductive electrode by vapor deposition

Relative density: above 99% ( low pressure oxygen atmosphere sintering method)
Dimension: Largest single chip size of ITO target which is used in TFT - LCD industry, large size can be spliced.